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發(fā)展優(yōu)質職業(yè)教育，培養(yǎng)更多具有儀器儀表技能的人才

2021 - 04 - 20

近年來，中國制造業(yè)取得了巨大成就，但面臨著大而不強、全而不精的局面。制造業(yè)基礎能力還很薄弱，關鍵核心技術受制于人，“卡脖子”、“掉鏈子”的風險越來越大?！　【唧w到儀器制造行業(yè)，雖然我國在儀器制造技術研究和產品開發(fā)方面取得了長足的進步，成為世界第二大儀器儀表制造國，但也存在明顯的問題，如高端儀器依賴進口、產品質量差、產品可靠性和穩(wěn)定性差等?！　≈圃鞓I(yè)高質量發(fā)展離不開高技能人才　　隨著新一輪工業(yè)革命的到來，中國制造業(yè)正在從中國制造向中國創(chuàng)造轉變。推動制造業(yè)升級，走向高質量發(fā)展迫在眉睫。2017年8月，國務院總理主持召開推進制造業(yè)強國建設座談會，表示要推進制造業(yè)升級，走向高質量發(fā)展，要充分發(fā)揮我國豐富的人力資源優(yōu)勢和潛力?！　‰S著中國經濟進入高素質發(fā)展的新階段，全社會對高素質技術人才的需求更加旺盛。數據顯示，中國有2億多技能人才，占總就業(yè)人數的26%。而高技能人才只有5000萬，占技能人才總數的28%。與德國、日本等制造大國相比，差距還是很大的。　　無論是實現(xiàn)經濟增長方式由粗放型向集約型的轉變，傳統(tǒng)產業(yè)的轉型升級，新興產業(yè)的發(fā)展壯大，還是實現(xiàn)制造業(yè)大國向制造業(yè)強國的轉變，中國的制造業(yè)向中國的創(chuàng)造型轉變，都需要更多高素質的技術和工藝人才，更需要來自大國的熟練工匠和工匠的支持?！　∨囵B(yǎng)技術技能人才，職業(yè)教育大有可為　　一個國家的經濟社會發(fā)展離不開人才，職業(yè)教育在人才培養(yǎng)的“蓄水池”中起著至關...

圍繞半導體制造的爭端已經加劇，歐美日韓都采取了行動

2021 - 05 - 18

如今，隨著各種智能技術和設備的快速發(fā)展，半導體產業(yè)的重要性日益突出。半導體不僅是傳統(tǒng)產業(yè)智能升級的基礎支撐，也是推動新興技術和產業(yè)發(fā)展的關鍵?；诖?，最近圍繞半導體領域的全球競爭變得日益激烈和升級?！　「偁幍慕裹c在半導體制造領域。自2020年以來，由于美國芯片禁令和全球疫情的影響，半導體制造和產能問題逐漸突出。為了獲得對產業(yè)鏈的控制權，各國已經從半導體設計、封裝和測試轉向制造業(yè)，這引發(fā)了制造業(yè)的競爭。　　其中，美國作為半導體的上游玩家，率先進入制造領域。我們知道，美國在半導體技術和設備上有優(yōu)勢，但制造業(yè)一直比較薄弱，主要依靠東南亞等地區(qū)。在這種背景下，為了在半導體這一關鍵領域獲得“安全感”，美國推出了“制造業(yè)回流”戰(zhàn)略?！　≡谶@一戰(zhàn)略的支持下，美國于去年首次點名邀請臺積電在美國建廠，意圖將半導體制造巨頭帶入本土。今年，美國政府發(fā)布了一項相關的半導體計劃，計劃投資數千億美元發(fā)展半導體制造。此外，美國還建立了涵蓋英特爾和蘋果等64家公司的半導體聯(lián)盟。　　美國覺得有必要讓本土獲得更強更直接的半導體制造能力，這個想法也得到歐洲的認可。歐洲在半導體設備方面也有優(yōu)勢，但在制造領域較弱。去年，歐洲表示，將努力生產世界20%的半導體，以便在產業(yè)鏈上與其他國家更好地競爭?！　閷崿F(xiàn)這一目標，去年歐盟17國聯(lián)合宣布《歐洲處理器和半導體科技計劃聯(lián)合聲明》，計劃未來兩三年投資1450億歐元推動半導體發(fā)展。...

發(fā)牌滿2周年，我國5G發(fā)展取得成效如何？

2021 - 06 - 09

自工信部于2019年6月6日正式頒發(fā)5G許可證以來，截至2021年6月6日，我國5G商業(yè)化正式進入2周年。這期間，我國5G發(fā)展全力以赴，日益加速。即使是嚴峻的國際形勢和突發(fā)的疫情也沒有阻擋進步的步伐。那么，基于這樣的發(fā)展，這兩年我國在5G方面取得了哪些成績呢？接下來，我們不妨一起來看看?！　【W絡建設全球領先。5G網絡是5G商業(yè)發(fā)展不可或缺的。在這方面，中國取得了美麗的成就。工業(yè)和信息化部最新數據顯示，我國已建成81.9萬多個5G基站，約占全球總量的70%，覆蓋全國所有地級以上城市。2021年，計劃新建60萬個5G基站，加快自主組網規(guī)模發(fā)展，推進4G/5G協(xié)作?！　〗K端連接傲視群雄。5G商用發(fā)展還離不開終端設備的支持。作為連接網絡與應用的重要工具，其在推動5G落地商用過程中起到了十分關鍵的作用。而據統(tǒng)計，現(xiàn)階段我國5G終端連接數已達到2.8億，占全球80%以上；5G套餐用戶也超過3.5億戶，單位流量價格不斷下降，5G終端連接取得傲人成績。　　應用探索初具規(guī)模。網絡和終端的發(fā)力，最終都是為了應用。過去兩年，由于前提條件不夠成熟，我國應用不夠理想，但如今隨著網絡和終端的持續(xù)完善，我國5G應用也初步取得探索成果。據悉，目前三大運營商依托5G消息正在打造5G應用生態(tài)，而在行業(yè)數字化方面，5G與自動駕駛、智能工廠、教育、醫(yī)療等融合也逐漸加快。　　標準專利碩果累累。5G商...

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產品名稱： 80GHz調頻雷達物位計（RBRD76）

型號：臺

時間： 2020 - 08 - 14

其他：防爆等級Exd IIC T6 Gb外殼鋁單腔/鋁雙腔/ 塑料/不銹鋼單腔顯示/編程編程器帶藍牙/5G遠程網絡調試過程溫度-40～1000℃技術規(guī)格：測量范圍0.6m~120m（固體）產品尺寸Ø100*270mm測量精度±1mm電纜入口M20*1.5波束角3°/8°推薦線纜AWG18或0.75mm²通訊方式HART過程壓力-0.1~2MPa使用介電常數范圍=2防護等級IP68故障輸出3.8mA、4mA，20mA，21mA，保持安裝方式螺紋或法蘭現(xiàn)場操作/編程128×64 點陣顯示屏/4按鍵可配置上位機設置軟件凈重/毛重量2.480Kg/2.995Kg工業(yè)溫度/濕度T0:-40~85℃/≤95%RH；T1:-40~200℃；T2:-40~500℃；T3:-40~1000℃包裝箱尺寸370*270*180mm天線類型透鏡天線，可配透鏡天線護罩/防腐型天線/天線散熱膏/石英隔離法蘭盤過程壓力-0.1~2MPa尺寸結構：

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產品名稱： RBRD16高頻雷達物位計

型號：

時間： 2018 - 11 - 17

外殼外殼和外殼蓋之間的密封硅橡膠外殼視窗聚碳酸酯接地端子不銹鋼重量－RBRD16 3Kg (取決于過程連接)供電電壓兩線制標準型(16~26)V DC本安型(21.6～26.4)V DC功耗max22.5mA／0.5W允許紋波 - －(100～100K)Hz Uss電纜參數電纜入口／插頭1個M20×1.5電纜入口(電纜直徑5~9mm)一個盲堵M20×1.5接線端子導線橫截面2.5mm2輸出參數輸出信號／通訊協(xié)議(4~20)mA／HART / RS485／Modbus分辨率1.6uA故障信號電流輸出不變；20.5mA；22mA；3.9mA結構尺寸(單位mm)表殼尺寸——RBRD16兩線制負載電阻圖 ● 特征參數盲區(qū)天線末端最大測量距離RBRD16 30米(液體型)微波頻率 26GHz通訊接口HART通訊協(xié)議／Modbus通訊協(xié)議測量間隔大約1秒(取決于參數設置)調整時間大約1秒...

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產品名稱： RBRD17高頻雷達物位計

型號：

時間： 2018 - 11 - 20

外殼外殼和外殼蓋之間的密封硅橡膠外殼視窗聚碳酸酯接地端子不銹鋼重量－RBRD17 4Kg (取決于過程連接)供電電壓兩線制標準型(16~26)V DC本安型(21.6～26.4)V DC功耗max22.5mA／0.5W允許紋波 - －(100～100K)Hz Uss電纜參數電纜入口／插頭1個M20×1.5電纜入口(電纜直徑5~9mm)一個盲堵M20×1.5接線端子導線橫截面2.5mm2輸出參數輸出信號／通訊協(xié)議(4~20)mA／HART / RS485／Modbus分辨率1.6uA故障信號電流輸出不變；20.5mA；22mA；3.9mA結構尺寸(單位mm)表殼尺寸——RBRD17兩線制負載電阻圖 ● 特征參數盲區(qū)天線末端最大測量距離RBRD17 30米微波頻率 26GHz通訊接口HART通訊協(xié)議／Modbus通訊協(xié)議測量間隔大約1秒(取決于參數設置)調整時間大約...

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產品名稱： RBRD18高頻雷達物位計

型號：

時間： 2018 - 11 - 20

外殼外殼和外殼蓋之間的密封硅橡膠外殼視窗聚碳酸酯接地端子不銹鋼重量－RBRD18 5Kg (取決于過程連接)供電電壓兩線制標準型(16~26)V DC本安型(21.6～26.4)V DC功耗max22.5mA／0.5W允許紋波 - －(100～100K)Hz Uss電纜參數電纜入口／插頭1個M20×1.5電纜入口(電纜直徑5~9mm)一個盲堵M20×1.5接線端子導線橫截面2.5mm2輸出參數輸出信號／通訊協(xié)議(4~20)mA／HART / RS485／Modbus分辨率1.6uA故障信號電流輸出不變；20.5mA；22mA；3.9mA結構尺寸(單位mm)表殼尺寸——RBRD18兩線制負載電阻圖 ● 特征參數盲區(qū)天線末端最大測量距離RBRD18 70米(固體型)微波頻率 26GHz通訊接口HART通訊協(xié)議／Modbus通訊協(xié)議測量間隔大約1秒(取決于參數設置)調整時間大約1...

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產品名稱： RBRD12-F 大量程、腐蝕性液體測量

型號：

時間： 2018 - 11 - 17

外殼外殼和外殼蓋之間的密封硅橡膠外殼視窗聚碳酸酯接地端子不銹鋼重量－RBRD12-F 2Kg (取決于過程連接)供電電壓兩線制標準型(16~26)V DC本安型(21.6～26.4)V DC功耗max22.5mA／0.5W允許紋波 - －(100～100K)Hz Uss電纜參數電纜入口／插頭1個M20×1.5電纜入口(電纜直徑5~9mm)一個盲堵M20×1.5接線端子導線橫截面2.5mm2輸出參數輸出信號／通訊協(xié)議(4~20)mA／HART / RS485／Modbus分辨率1.6uA故障信號電流輸出不變；20.5mA；22mA；3.9mA結構尺寸(單位mm)表殼尺寸——RBRD12-F兩線制負載電阻圖 ● 特征參數盲區(qū)天線末端最大測量距離RBRD12-F 30米微波頻率 26GHz通訊接口HART通訊協(xié)議／Modbus通訊協(xié)議測量間隔大約1秒(取決于參數設置)調整時間大約...

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產品名稱： RBRD51導波雷達物位計

型號：

時間： 2018 - 12 - 12

外殼外殼和外殼蓋之間的密封硅橡膠外殼視窗聚碳酸酯接地端子不銹鋼技術參數工作頻率100MHZ-1.8GHZ測量范圍纜式：0-30m重復性±2mm分辨率1mm采樣回波采樣 55 次 /s響應速度0.2S（根據具體使用情況而定）輸出電流信號4-20mA精度±3mm通訊接口HART 通訊協(xié)議過程連接G1'A/G1½'A 螺紋法蘭 DN50，DN80，DN100， DN150，DN200,DN250過程壓力-0.1-4MPa電源24VDC(±10%), 紋波電壓：1Vpp 耗電量：max 22.5mA環(huán)境條件溫度 -40℃～ +70℃外殼防護/防爆等級IP67 / Exd IIC T4 Gb兩線制接線儀表供電和信號輸出共用一根兩芯屏蔽電纜線電纜入口2 個 M20*1.5 或 ½'NPT(&#...

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產品名稱： RBRD52導波雷達物位計

型號：

時間： 2018 - 12 - 12

外殼外殼和外殼蓋之間的密封硅橡膠外殼視窗聚碳酸酯接地端子不銹鋼技術參數工作頻率100MHZ-1.8GHZ測量范圍0-6m重復性±2mm分辨率1mm采樣回波采樣 55 次 /s響應速度0.2S（根據具體使用情況而定）輸出電流信號4-20mA精度±3mm通訊接口HART 通訊協(xié)議過程連接G1'A/G1½'A 螺紋法蘭 DN50，DN80，DN100， DN150，DN200,DN250過程壓力-0.1-4MPa電源24VDC(±10%), 紋波電壓：1Vpp 耗電量：max 22.5mA環(huán)境條件溫度 -40℃～ +70℃外殼防護/防爆等級IP67 / Exd IIC T4 Gb兩線制接線儀表供電和信號輸出共用一根兩芯屏蔽電纜線電纜入口2 個 M20*1.5 或 ½'NPT( ...

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產品名稱： RBRD53導波雷達物位計

型號：

時間： 2018 - 12 - 12

外殼外殼和外殼蓋之間的密封硅橡膠外殼視窗聚碳酸酯接地端子不銹鋼技術參數工作頻率100MHZ-1.8GHZ測量范圍0-30m重復性±2mm分辨率1mm采樣回波采樣 55 次 /s響應速度0.2S（根據具體使用情況而定）輸出電流信號4-20mA精度±3mm通訊接口HART 通訊協(xié)議過程連接G1'A/G1½'A 螺紋法蘭 DN50，DN80，DN100， DN150，DN200,DN250過程壓力-0.1-4MPa電源24VDC(±10%), 紋波電壓：1Vpp 耗電量：max 22.5mA環(huán)境條件溫度 -40℃～ +70℃外殼防護/防爆等級IP67 / Exd IIC T4 Gb兩線制接線儀表供電和信號輸出共用一根兩芯屏蔽電纜線電纜入口2 個 M20*1.5 或 ½'NPT( ...

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產品名稱： RBRD54導波雷達物位計

型號：

時間： 2018 - 12 - 12

外殼外殼和外殼蓋之間的密封硅橡膠外殼視窗聚碳酸酯接地端子不銹鋼技術參數工作頻率100MHZ-1.8GHZ測量范圍纜式：0-30m；桿式、同軸管式：0-6m重復性±2mm分辨率1mm采樣回波采樣 55 次 /s響應速度0.2S（根據具體使用情況而定）輸出電流信號4-20mA精度±3mm通訊接口HART 通訊協(xié)議過程連接G1'A/G1½'A 螺紋法蘭 DN50，DN80，DN100， DN150，DN200,DN250過程壓力-0.1-4MPa電源24VDC(±10%), 紋波電壓：1Vpp 耗電量：max 22.5mA環(huán)境條件溫度 -40℃～ +70℃外殼防護/防爆等級IP67 / Exd IIC T4 Gb兩線制接線儀表供電和信號輸出共用一根兩芯屏蔽電纜線電纜入口2 個 M20*1.5 或 ...

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