半導(dǎo)體是一種常溫下電導(dǎo)率在絕緣體至導(dǎo)體之間的物質(zhì)，也正是這種特殊的性質(zhì)，讓半導(dǎo)體成為現(xiàn)代工業(yè)以及科技產(chǎn)業(yè)中被重點關(guān)注的材料之一。如今的半導(dǎo)體，已經(jīng)被集成電路、消費電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電、照明、大功率電源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域所應(yīng)用，尤其是作為信息處理的器件材料被認為是打開“芯”時代的一把鑰匙。

　　隨著物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)和人工智能驅(qū)動的新計算時代的發(fā)展，對半導(dǎo)體器件的需求日益增長，對器件可靠性與性能指標的要求也更加嚴苛，第三代半導(dǎo)體市場“顯現(xiàn)”。

　　那么，你知道什么是第三代半導(dǎo)體嗎？

　　據(jù)悉，第一代半導(dǎo)體材料是硅；第二代半導(dǎo)體材料砷化鎵，這是大部分4G通信設(shè)備的主要材料；

　　而第三代半導(dǎo)體材料是氮化鎵，這是一種充電器最基礎(chǔ)的材料。這三代半導(dǎo)體材料是促進半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的主要原料，國內(nèi)大力支持它們的發(fā)展和普及。

　　近年來，以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體開始逐漸受到市場的重視，國際上已形成完整的覆蓋材料、器件、模塊和應(yīng)用等環(huán)節(jié)的產(chǎn)業(yè)鏈，全球新一輪的產(chǎn)業(yè)升級已經(jīng)開始。

　　國家計劃在2021年-2025年期間，把大力支持規(guī)劃，發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)寫入正在制定的“十四五”規(guī)劃，并且將在教育、科研、開發(fā)、融資、應(yīng)用等各個領(lǐng)域大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體行業(yè)，目的是實現(xiàn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的獨立自主。

　　2021發(fā)布的《中華人民共和國國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和2035年遠最目標綱要》中：其集成電路領(lǐng)域包括設(shè)計工具、重點裝備和高純靶材等關(guān)鍵材料研發(fā)，集成電路先進工藝和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)、微機電系統(tǒng)(MEMS)等特色工藝突破，先進存儲技術(shù)升級，碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)展。

　　此外，“十四五”，國家重點研發(fā)計劃啟動實施2021年“新型顯示與戰(zhàn)略性電子材料”重點專項，第三代半導(dǎo)體是其重要內(nèi)容，未來發(fā)展可期。

　　結(jié)語：不難看出，近年來，我國發(fā)布的多個政策加碼第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展，迎政策福利，第三代半導(dǎo)體行業(yè)市場“一片藍?！?。